| 离子束溅射技术制备Ge—SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜的微结构和光学性质研究 |
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| 引用本文： | 岳兰平.离子束溅射技术制备Ge—SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜的微结构和光学性质研究[J].电子显微学报,1997,16(4):499-500. |
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| 作者姓名： | 岳兰平 |
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| 作者单位： | 中国科学院固体物理研究所 |
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| 摘 要： | 采用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对Ｇｅ－ＳｉＯ２纳米颗粒镶嵌薄膜样品的形和结构进行了观察研究。测量了不同直径纳米锗颗粒镶嵌薄吸收光谱，并砂同激光光能量下对样品进行了室温荧光光谱研究，发现在中心波长为４２０ｎｍ处有一个较强的光致荧光峰。研究结果表明纳米锗粒子的相结构和电子能级结构同常规的大块锗晶体相比均发生显著的改变。
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| 关 键 词： | 离子束溅射 微观结构 光学性质 半导体薄膜技术 |
Microstrcture and Optical Properties of Ge SiO 2 Thin Films Prepared by The Ion Beam Sputtering |
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| L.P.Yue.Microstrcture and Optical Properties of Ge SiO 2 Thin Films Prepared by The Ion Beam Sputtering[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,1997,16(4):499-500. |
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| Authors: | LPYue |
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| Abstract: | Microstrcture and optical properties of Ge nanocrystallites embedded in SiO 2 thin films prepared by the ion beam sputtering technique have been studied. Effects of the quantum confinement and the dielectric confinement of the specimens on optical absoption spectra and the photoluminescence spectra have been discussed. |
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| Keywords: | \ Ge nanocrystallites\ microstructure\ optical absorption\ photoluminescence |
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