基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究 |
| |
引用本文: | 傅开红,程知群.基于CMOS工艺宽带LC压控振荡器研究[J].电子器件,2009,32(4):742-745. |
| |
作者姓名: | 傅开红 程知群 |
| |
作者单位: | 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州,310018 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目 |
| |
摘 要: | 设计了一种应用于无线通信系统的宽带电感电容(LC)压控振荡器(VCO),电路采用开关电容阵列获得了宽频率覆盖范围;利用开关可变电容阵列减小了调谐增益变化;并通过采用高品质因数的差分电感和噪声滤波技术获得了低相位噪声.电路设计采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺.仿真结果表明:在工作电压为1.8 V时,直流功耗为9 mW,压控振荡器的频率范围870~1500 MHz(53%),调谐增益在67 MHz/V至72 MHz/V之间.相位噪声优于-100 dBc/Hz@100 kHz.
|
关 键 词: | 宽带压控振荡器 开关电容阵列 调谐增益 相位噪声 |
Study of a Wideband LC VCO based on CMOS Technology |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | CMOS |
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电子器件》下载全文 |
|