| 气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器 |
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| 引用本文： | 杨海东,李世国,陈朋,高山,徐承福,龚谦. 气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器[J]. 半导体技术, 2010, 35(9): 871-873. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.09.004 |
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| 作者姓名： | 杨海东 李世国 陈朋 高山 徐承福 龚谦 |
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| 作者单位： | 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器.有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010 cm-2左右,势垒层为InGaAsP.室温下量子点的光致发光中心波长在1.55 μm,发光峰半高宽为108 imeV.通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器的阈值电流为143 mA(2.5 kA/cm2),器件的激射中心波长在1.55 μm.由于量子点尺寸的非均匀性,在大电流注入,激光器的激射谱展宽.器件单端面最大输出功率为27 mW,功率斜率效率为130 mW/A.
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| 关 键 词： | 激光器 自组织 量子点 光谱 气源分子束外延 |
InAs/InP (100) Quantum Dot Laser Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy |
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| Yang Haidong,Li Shiguo,Chen Peng,Gao Shan,Xu Chengfu,Gong Qian. InAs/InP (100) Quantum Dot Laser Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy[J]. Semiconductor Technology, 2010, 35(9): 871-873. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.09.004 |
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| Authors: | Yang Haidong Li Shiguo Chen Peng Gao Shan Xu Chengfu Gong Qian |
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| Affiliation: | Yang Haidong,Li Shiguo,Chen Peng,Gao Shan,Xu Chengfu,Gong Qian(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem andInformation Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | laser self-organize quantum dot lasing spectra gas-source molecular beam epitaxy(GSMBE) |
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