| 电弧放电制备碳化硅纳米棒 |
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| 引用本文： | 吴旭峰,凌一鸣. 电弧放电制备碳化硅纳米棒[J]. 硅酸盐学报, 2006, 34(10): 1283-1286 |
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| 作者姓名： | 吴旭峰 凌一鸣 |
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| 作者单位： | 东南大学电子工程系,南京,210018;东南大学电子工程系,南京,210018 |
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| 摘 要： | 用电弧放电法制备了碳化硅(SiC)纳米棒.将摩尔分数为50%C,25% SiO2和25% Si粉末充分混合,填入已在中心钻孔的石墨棒中,作电弧放电阳极,水冷铜块作阴极,腔内充66.5kPa氩气,放电电流为80A.分析放电后沉积在腔内壁的粉末,高分辨率透射电镜照片表明:粉末中有结晶良好的SiC纳米棒,直径约10～20 nm,长径比为10以上,并且纳米棒头部缀有金属纳米粒子.X射线衍射分析表明:粉体中主相为β-SiC,有少量Cu,Raman光谱中775 cm-1有1个尖锐峰.分析认为,少量阴极材料Cu被电弧蒸发作为催化剂并由气液固过程生成了SiC纳米棒.
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| 关 键 词： | 碳化硅 纳米棒 电弧放电 气液固过程 |
| 文章编号： | 0454-5648(2006)10-1283-04 |
| 收稿时间： | 2006-02-06 |
| 修稿时间： | 2006-05-09 |
PREPARATION OF SILICON CARBIDE NANORODS BY ARC DISCHARGE |
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| WU Xufeng,LING Yiming. PREPARATION OF SILICON CARBIDE NANORODS BY ARC DISCHARGE[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2006, 34(10): 1283-1286 |
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| Authors: | WU Xufeng LING Yiming |
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| Affiliation: | Department of Electronic Engineering, Southeast University, Nanjing 210018, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide arc discharge nanorods vapor-liquid-solid process |
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