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| 硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的界面分析与电特性 | |
| 引用本文： | 谢伯兴,林猷慎,徐晓华,张景韶,范滇元.硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的界面分析与电特性[J].红外与毫米波学报,1988,7(2). |
| 作者姓名： | 谢伯兴 林猷慎 徐晓华 张景韶 范滇元 |
| 作者单位： | 昆明物理研究所 (谢伯兴，林猷慎，徐晓华，张景韶)，中国科学院上海光学精密机械研究所(范滇元) |
| 摘 要： | 对硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管(SBD)的界面性质作了AES谱和EBIC像分析,估算了Pd_xSi_y层厚度和肖特基结的结深。在室温下由示波器响应脉冲波形估算SBD对1.06μm激光的响应时间小于1ns。从深能级瞬态电容谱仪得到的DLTS谱峰计算出样品表面空间电荷区中深能级的能级位置E_T—E_V=0.33eV,俘获截面σ_p(248K)=4.4×10~(-18)cm~2,深能级的平均杂质浓度N_T=0.085(N_A—N_D)。讨论了激光响应脉冲波形后沿变缓现象。 |
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