12GHz 1.5dB亚微米栅GsAs MESFET

<正> 南京固体器件研究所成功地研制了深槽亚微米栅GaAs MESFET。器件栅工0.4～0.6μm、栅宽150μm、槽深0.3～0.4μm。以1.8×1.8mm标准陶瓷金属微带管壳封装,进一步改善了射频特性。在12GHz下测量,器件噪声系数的最佳值为1.4dB,相关增益7.5dB。大部分器件的噪声系数在1.5～3.5dB范围内。器件在2～12GHz频率范围内的s参数也较好。与日本三菱公司的2SK267和NEC的NE38883 MESFET 进行了同等条件下测试对比,说明测试结果可靠。 用于制作器件的GaAs材料的质量较好。GaAs半绝缘衬底有较高的电阻率;缓冲层纯度较高,提高了与有源层交界面附近的迁移率;有源层为N~+-N层,有利于减小源漏接触电阻。这些为器件获得高增益、低噪声打下了良好的基础。

A12GHz l.5dB Submicron Gate GaAs MESFET