| 扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究 |
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| 引用本文： | 林世昌,张燕生,张国炳,王阳元.扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究[J].电子与信息学报,1995,17(3):298-303. |
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| 作者姓名： | 林世昌 张燕生 张国炳 王阳元 |
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| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所，中国科学院电子学研究所，北京大学计算机科学技术系，北京大学计算机科学技术系 北京 100080，北京 100080，北京 100871，北京 100871 |
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| 摘 要： | 在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO2上的多晶硅薄膜进行改性的实验。采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了20025m2的单晶区。
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| 关 键 词： | 单晶硅薄膜 SOI技术 材料改性 |
| 收稿时间： | 1993-10-8 |
| 修稿时间： | 1994-4-5 |
THE GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON THIN FILM ON INSULATOR (SOI) BY SCANNING ELECTRON BEAM |
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| Lin Shichang,Zhang Yansheng,Zhang Guobing,Wang Yangyuan.THE GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON THIN FILM ON INSULATOR (SOI) BY SCANNING ELECTRON BEAM[J].Journal of Electronics & Information Technology,1995,17(3):298-303. |
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| Authors: | Lin Shichang Zhang Yansheng Zhang Guobing Wang Yangyuan |
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| Affiliation: | Institute of Electronics, Academia Sinica, Beijing 100080;Peking University; Beijing 100871 |
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| Abstract: | An experiment for preparation of SOI films by using scanning electron beam to modify polycrystalline silicon on SiO2 is presented. This method takes on the lateral epitaxial growth of liquid phase crystallon to form monocrystal Si films. The effects of beam power density, scanning velocity, temperature of substrates and the construction of samples on the quality of the monocrystalline silicon films were discussed. A good experimental result has been obtained, the mono-crystalline silicon zone is nearly 20025m2. |
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| Keywords: | Monocrystalline silicon film SOI technology Material modification |
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