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| 高密度数字磁记录条件下MR磁头的技术特性 | |
| 引用本文： | 沈群,张江陵.高密度数字磁记录条件下MR磁头的技术特性[J].新电脑,1996(4). |
| 作者姓名： | 沈群 张江陵 |
| 作者单位： | 华中理工大学计算机系 |
| 摘 要： | 本文从磁致电阻效应基本原理出发，讨论了在高密度磁记录条件下ＭＲ磁头的技术特性。就磁屏蔽、偏置、线性范围、磁道响应失衡、热噪声、磁稳定性和ＭＲ头的制造等方面说明ＭＲ磁头的基本技术类型。最后对巨磁阻效应及ＭＲ头的发展前景作了介绍。 |
| 关 键 词： | 高密度记录，磁头，磁致电阻效应，巨MR效应 |
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