| As~＋注入Si_（1－x）Ge_x的快速退火行为 |
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| 引用本文： | 邹吕凡,王占国,孙殿照,何沙,范缇文,刘学锋,张靖巍.As~＋注入Si_（1－x）Ge_x的快速退火行为[J].半导体学报,1996,17(9):717-720. |
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| 作者姓名： | 邹吕凡 王占国 孙殿照 何沙 范缇文 刘学锋 张靖巍 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，中南民族学院电子工程系 |
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| 摘 要： | 用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快
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