| 工业VO2薄膜的电阻突变及其稳定性 |
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| 引用本文： | 杨绍利,徐楚韶,陈厚生,胡再勇. 工业VO2薄膜的电阻突变及其稳定性[J]. 中国有色金属学报, 2002, 12(5): 925-930 |
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| 作者姓名： | 杨绍利 徐楚韶 陈厚生 胡再勇 |
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| 作者单位： | 1. 重庆大学材料科学与工程学院冶金系,重庆,400044
2. 攀枝花钢铁研究院综合室,攀枝花,617000 |
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| 基金项目： | 攀枝花新钢钒股份有限公司(新钢钒)资助项目(编号:2001外协23). |
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| 摘 要： | 以工业V2O5为原料，采用热分解法和还原法制备工业VO2薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明：1）VO2薄膜的电阻突变达到了2．0－3.4个数量级，突变温度约为35℃，比纯VO2薄膜突变温度约低33℃；2)石英玻璃上的VO2薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大；3)H2还原法制备的VO2薄膜电阻突变数量级比N2热分解法制备的大；4)在自然放置条件下短时间内VO2薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变，其突变数量级降低不多，突变温度滞后几乎没有变化；5)同等条件下石英玻璃上的VO2薄膜的电阻突变数量级降低较小、稳定性较好。
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| 关 键 词： | V2O5 VO2 薄膜 M－S相变 电阻突变 稳定性 热分解法 还原法 二氧化钒 金属—半导体相变 |
| 文章编号： | 1004-0609(2002)05-0925-06 |
| 修稿时间： | 2001-12-24 |
Suddenly changing of resistance and its stability of industrial VO2 thin films |
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| YANG Shao-li ,XU Chu-shao ,CHEN Hou-sheng ,HU Zai-yong. Suddenly changing of resistance and its stability of industrial VO2 thin films[J]. The Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2002, 12(5): 925-930 |
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| Authors: | YANG Shao-li XU Chu-shao CHEN Hou-sheng HU Zai-yong |
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| Affiliation: | YANG Shao-li 1,XU Chu-shao 1,CHEN Hou-sheng 2,HU Zai-yong 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vanadium dioxide vanadium pentoxide thin film resistance M-S phase transition |
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