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新型压电晶体La_3Ga_5SiO_(14)的生长及特性
引用本文:王增梅,袁多荣,潘立虎,张沛霖,李正法,程秀凤,吕衍秋,段秀兰,郭世义,吕孟凯,许东. 新型压电晶体La_3Ga_5SiO_(14)的生长及特性[J]. 压电与声光, 2003, 0(6)
作者姓名:王增梅  袁多荣  潘立虎  张沛霖  李正法  程秀凤  吕衍秋  段秀兰  郭世义  吕孟凯  许东
作者单位:山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,航天机电集团公司二院二零三所,山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室,山东大学晶体材料国家重点实验室 济南250100,济南250100,北京100854,济南250100,济南250100,济南250100,济南250100,济南250100,济南250100,济南250100,济南250100
基金项目:军工配套基金资助项目,国家自然科学基金资助项目(60178029)
摘    要:用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6K-1、3.8×10-6K-1,在453.15K时测得晶体的比热为0.90J/g·K,并在200~800nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数。

关 键 词:提拉法  La3Ga5SiO14  结构  热膨胀  比热  透过谱  压电特性

Crystal Growth and Characterization of New Piezoelectric Crystals La_3Ga_5SiO_(14)
WANG Zeng-mei,YUAN Duo-rong,PAN Li-hu,ZHANG Pei-lin,LI Zheng-fa,CHENG Xiu-feng,L. Crystal Growth and Characterization of New Piezoelectric Crystals La_3Ga_5SiO_(14)[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2003, 0(6)
Authors:WANG Zeng-mei  YUAN Duo-rong  PAN Li-hu  ZHANG Pei-lin  LI Zheng-fa  CHENG Xiu-feng  L
Affiliation:WANG Zeng-mei~1,YUAN Duo-rong~1,PAN Li-hu~2,ZHANG Pei-lin~3,LI Zheng-fa~3,CHENG Xiu-feng~1,L
Abstract:
Keywords:Czochralski technique  La_3Ga_5SiO_(14) crystals  structure  specific heat  thermal expansion  transmittance properties  piezoelectric properties
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
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