| 抑制SSN的新型内插L-EBG结构 |
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| 引用本文： | 李开敬,张根.抑制SSN的新型内插L-EBG结构[J].电子产品世界,2016(7). |
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| 作者姓名： | 李开敬 张根 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学 陕西 西安 710071 |
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| 摘 要： | 本文提出的是一种基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)结构的创新型结构，对于同步开关噪声(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更优秀的特性。我们设计的这款新型EBG结构，是在周期性L-bridge EBG结构的基础上，在一些单元内插小型的L-bridge EBG。通过仿真验证，此结构具有传统型L-bridge EBG结构所不具有的超带宽抑制能力和较大的抑制深度。然后我们运用电路模型和平行板谐振腔原理分析了该结构上下变频。另外，通过3-D仿真，得到结构的IR-Drop和直流阻抗。最后，通过眼图验证该结构的信号传输特性。
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| 关 键 词： | EBG SSN 电源完整性 IR-Drop |
Novel embedded L-EBG structure for suppression of SSN |
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