| AlGaN/GaN HEMT泄漏电流的退化研究 |
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| 引用本文： | 彭志农,胡志富. AlGaN/GaN HEMT泄漏电流的退化研究[J]. 电子产品可靠性与环境试验, 2016, 0(6): 22-25. DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2016.06.005 |
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| 作者姓名： | 彭志农 胡志富 |
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| 作者单位： | 河北半导体研究所,河北石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 针对AlGaN/GaN HEMT器件在寿命试验过程中经常出现的栅源、栅漏和源漏泄漏电流随试验时间的延长而增大的现象,展开了深入的研究.分析了当前HEMT器件泄漏电流的各种主流退化模型,通过试验发现热载流子效应、逆压电效应等难以完全解释泄漏电流间的退化差异.进一步的研究显示,电极间的泄漏电流的差异主要是由材料中的缺陷和陷阱的密度分布不均匀造成的.在应力的作用下,初始密度越大,试验过程中缺陷和陷阱的增长速度就越快,泄漏电流的增长速度也就越快.但应力撤除后,由陷阱辅助隧穿导致的泄露电流会逐渐地得到恢复.
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| 关 键 词： | 泄漏电流 退化 缺陷 热载流子效应 逆压电效应 |
Research on the Degradation of Leakage Current of AlGaN/GaN HEMT |
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