| 坩埚石墨化度对SiC单晶生长过程的影响 |
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| 引用本文： | 刘军林 高积强 程基宽 杨建峰 乔冠军. 坩埚石墨化度对SiC单晶生长过程的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2005, 34(12): 1944-1947 |
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| 作者姓名： | 刘军林 高积强 程基宽 杨建峰 乔冠军 |
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| 作者单位： | 西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049 |
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| 摘 要： | 研究了用改进Lely法制备SiC单晶的过程中坩埚石墨化度对物质传输和晶体生长速度的影响。在不同温度下进行石墨化处理得到了实验所用的坩埚。用XRD方法定量测定了晶体生长前坩埚的石墨化度，并用SEM分析了晶体生长后坩埚内壁的反应情况。实验结果表明，石墨坩埚在SiC晶体生长过程中是一个非常重要的碳源提供者：当坩埚的石墨化程度较低时，晶体的生长速度快，生长速度由生长温度所控制；随着坩埚石墨化程度的提高，晶体生长速度减慢并由坩埚石墨化度所控制；当石墨化度进一步提高的时候，籽晶被碳化，晶体不能正常生长。
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| 关 键 词： | 物质传输 石墨化度 单晶生长 SiC |
| 文章编号： | 1002-185X(2005)12-1944-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-14 |
| 修稿时间： | 2005-03-14 |
Effect of Graphitization Degree of Crucible on SiC Single Crystal Growth Process |
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| Liu Junlin,Gao Jiqiang,Cheng Jikuan,Yang Jianfeng,Qiao Guanjun. Effect of Graphitization Degree of Crucible on SiC Single Crystal Growth Process[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2005, 34(12): 1944-1947 |
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| Authors: | Liu Junlin Gao Jiqiang Cheng Jikuan Yang Jianfeng Qiao Guanjun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | mass transfer graphitization degree single crystal growth SiC |
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