| 750V汽车级IGBT芯片与模块研制 |
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| 引用本文： | 姚尧,肖海波,肖强,罗海辉.750V汽车级IGBT芯片与模块研制[J].电力电子技术,2019,53(11):118-120. |
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| 作者姓名： | 姚尧 肖海波 肖强 罗海辉 |
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| 作者单位： | 新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412000;株洲中车时代电气股份有限公司,湖南株洲412000;新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412000;株洲中车时代电气股份有限公司,湖南株洲412000;新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412000;株洲中车时代电气股份有限公司,湖南株洲412000;新型功率半导体器件国家重点实验室,湖南株洲412000;株洲中车时代电气股份有限公司,湖南株洲412000 |
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| 摘 要： | 研制了一款新型的750 V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片,并形成了820 A/750 V S3~+汽车级模块产品。该芯片采用嵌入式发射极沟槽(RET)技术、嵌入式陪栅沟槽(RDT)技术和超薄片加工技术,820 A/750 V S3~+模块总损耗相对于上一代800 A/750 V S1模块产品降低29.6%。同时,该S3~+模块产品具有强健的极限性能,且可实现175℃工作结温,可很好地满足电动/混动汽车的应用需求。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 嵌入式发射极沟槽 嵌入式陪栅沟槽 |
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