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| 硅片预退火对二极管反向恢复时间的影响 | |
| 引用本文： | 张剑平,季振国,杨启基,李立本,阙端麟.硅片预退火对二极管反向恢复时间的影响[J].半导体学报,1997,18(3):223-227. |
| 作者姓名： | 张剑平 季振国 杨启基 李立本 阙端麟 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 本文研究了预退火对二极管反向恢复时间的影响．为获得满意的反向恢复时间，硅棒上不同部位的硅片需要不同的预退火温度．头、中、尾部的硅片最佳预退火温度分别为600℃、700℃、800℃，这是因为不同部位的硅片中主导少子寿命的因素不同． |
| 关 键 词： | 硅片 预退火 器件 二极管 反向恢复时间 |
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