| GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应 |
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| 引用本文： | 白云 邵秀梅 陈亮 张燕 李向阳 龚海梅. GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应[J]. 激光与红外, 2007, 37(B09): 957-960 |
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| 作者姓名： | 白云 邵秀梅 陈亮 张燕 李向阳 龚海梅 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083 |
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| 基金项目： | 致谢：中国科学院半导体所赵德刚副研究员为本文提供了GaN材料,在此表示衷心的感谢! |
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| 摘 要： | 制备了GaN基PIN结构紫外探测器。用能量为2MeV的质子对器件依次进行注量为5×10^14cm^-2和2×10^15cm^-2的辐照。通过测量辐照前后器件的Ⅰ-Ⅴ曲线和光谱响应曲线，讨论了不同注量的质子辐照对GaN基紫外探测器件性能的影响。Ⅰ-Ⅴ特性表明，辐照使器件的反向暗电流增大，正向开启电流减小，并减小了器件的响应率，使峰值响应波长向短波方向稍有移动。为分析器件的辐照失效机理，研究了质子辐照对GaN材料的拉曼散射谱（Raman谱）和光致发光谱（PL谱）的影响。拉曼散射谱表明，A1（LO）模式随辐照注量向低频移动，通过拟合A1（LO）谱形，得到辐照使材料的载流子浓度降低的结果。PL谱表明，辐照使主发光峰和黄光峰强度降低，并出现一些新的发光峰，分析认为这是由于辐照引起了N空位缺陷和其他一些缺陷的亚稳态造成。
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| 关 键 词： | GaN PIN结构 质子辐照 PL谱 Raman谱 |
| 文章编号： | 1001-5078（2007）增刊-0957-04 |
| 修稿时间： | 2007-07-16 |
Proton Irradiation Effect on GaN-based PIN UV Detector |
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| BAI Yun, SHAO Xiu-mei, CHEN Liang, ZHANG Yan, LI Xiang-yang, GONG Hai-mei. Proton Irradiation Effect on GaN-based PIN UV Detector[J]. Laser & Infrared, 2007, 37(B09): 957-960 |
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| Authors: | BAI Yun SHAO Xiu-mei CHEN Liang ZHANG Yan LI Xiang-yang GONG Hai-mei |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN PIN proton irradiation PL Raman |
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