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一种应用于A/D转换器的Flash单元的设计
引用本文:高大明,范军,叶青,叶甜春. 一种应用于A/D转换器的Flash单元的设计[J]. 微电子学, 2006, 36(4): 480-483,487
作者姓名:高大明  范军  叶青  叶甜春
作者单位:中国科学院,微电子研究所,北京,100029
摘    要:针对A/D转换器中广泛使用的Flash单元,设计了一组由全差分预放大器、动态比较器和D触发器组成的电路。对电路的抗翻转噪声能力进行了分析和仿真,指出,通过改进全差分预放大器的共模反馈电路,有效提高了Flash单元抗翻转噪声的能力。利用SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺,将设计的Flash单元应用到一个Flash A/D转换器中进行了流片。A/D转换器具有100 MHz奈奎斯特采样带宽。流片测试结果表明,采用该Flash单元的A/D转换器的信噪比SNR获得了改善,有效位数ENOB能提高大约0.6比特。

关 键 词:A/D转换器  Flash单元  信噪比  有效位数
文章编号:1004-3365(2006)04-0480-04
收稿时间:2005-10-24
修稿时间:2005-10-242006-01-13

A Flash Module for Analog-to-Digital Converters
GAO Da-ming,FAN Jun,YE Qing,YE Tian-chun. A Flash Module for Analog-to-Digital Converters[J]. Microelectronics, 2006, 36(4): 480-483,487
Authors:GAO Da-ming  FAN Jun  YE Qing  YE Tian-chun
Affiliation:Institute of Microelectronics , The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P. R. China
Abstract:
Keywords:A/D converter  Flash module  SNR  ENOB
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