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Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜的真空热蒸发制备研究
引用本文:张海芳,杜丕一,翁文剑,韩高荣,赵高凌. Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜的真空热蒸发制备研究[J]. 真空科学与技术学报, 2004, 24(6): 442-444,447
作者姓名:张海芳  杜丕一  翁文剑  韩高荣  赵高凌
作者单位:浙江大学材料系硅材料国家重点实验室,杭洲,310027
基金项目:国家自然科学基金,高等学校博士学科点专项科研项目,教育部留学回国人员科研启动基金
摘    要:本文通过在低温下烧结靶材,利用电子束蒸发方法制备了Ge/Sb/Se/Fe比例可控的Fe3 离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜.用XRD和PHS-9V型酸度计研究薄膜的结构和性能.研究表明薄膜的Fe3 离子敏感性能为(50.375±4.125) mV/十倍浓度,线性响应Fe3 浓度范围(10-2~10-6) mol/L.

关 键 词:Fe3 离子敏感薄膜  真空热蒸发  低温烧结
文章编号:1672-7126(2004)06-0442-03

Growth of Fe3+ lon-Sensitive Ge-Sb-Se-Fe Film by Vacuum Deposition
Zhang Haifang,Du Piyi,Weng Wenjian,Han Gaorong and Zhao Gaoling. Growth of Fe3+ lon-Sensitive Ge-Sb-Se-Fe Film by Vacuum Deposition[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2004, 24(6): 442-444,447
Authors:Zhang Haifang  Du Piyi  Weng Wenjian  Han Gaorong  Zhao Gaoling
Affiliation:Zhang Haifang,Du Piyi*,Weng Wenjian,Han Gaorong and Zhao Gaoling
Abstract:
Keywords:Fe 3 ion-sensitive thin film  Vacuum thermal evaporation  Low-temperature sintering
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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