| 非掺锑化镓抛光工艺研究 |
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| 引用本文： | 樊成才,李忠义,孔峰. 非掺锑化镓抛光工艺研究[J]. 微纳电子技术, 1998, 0(3) |
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| 作者姓名： | 樊成才 李忠义 孔峰 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院国家半导体工程材料研究中心 |
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| 摘 要： | 分析了非掺锑化镓单晶片的化学抛光机制和影响获得表面质量良好的非掺锑化镓单晶片的因素，得到了非掺锑化镓的抛光工艺参数。利用该工艺可以制备表面光洁、平整、无缺陷的非掺锑化镓单晶抛光片。
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| 关 键 词： | 非掺GaSb 抛光液 抛光温度 抛光压力 |
Study on Non Doped GaSb CMP |
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| Fan Chengcai,Li Zhongyi,Kong Feng. Study on Non Doped GaSb CMP[J]. Micronanoelectronic Technology, 1998, 0(3) |
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| Authors: | Fan Chengcai Li Zhongyi Kong Feng |
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| Abstract: | The mechanism of CMP of non doped GaSb and affecting factors is analysed.The parameters of non doped GaSb polishing are obtained.Using this technology the smoothness,flatness,and non defect non doped GaSb surface can be produces. |
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| Keywords: | Non doped GaSb Polishing solution Polishing temperature Folishing pressure |
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