| 槽栅结构对小尺寸MOS器件特性的影响 |
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| 引用本文： | 张晓菊,任红霞,马晓华,郝跃. 槽栅结构对小尺寸MOS器件特性的影响[J]. 微电子学与计算机, 2003, 20(7): 74-77 |
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| 作者姓名： | 张晓菊 任红霞 马晓华 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 基金项目： | 中国科学院科技创新基金资助项目(CXJJ-55);信息产业部电子预研基金资助项目(57.7.6.9) |
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| 摘 要： | 基于流体动力学能量传输模型，研究了深亚微米槽栅结构MOSFET对小尺寸效应的影响，并与相应平面器件的特性进行了比较。研究结果表明，由于栅介质拐角效应的存在，槽栅结构在深亚微米区域能够很好地抑制小尺寸带来的短沟道效应、漏感应势垒降低等效应，且很好地降低了亚阈特性的退化，器件具有较好的输出特性和转移特性。
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| 关 键 词： | MOSFET 小尺寸效应 深亚微米槽栅结构 MOS器件 特性 |
| 修稿时间： | 2002-11-05 |
The Influence of Grooved-gate Structure on the Property of Small Size MOSFET''''s |
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