富士通研制成室温工作的InAIAs/InGaAs谐振隧道双极晶体管

<正> 据日本电子材料杂志1988年第6期报道,日本富士通研究所为了谋求器件的高性能化,用InAlAs/InGaAs异质结已研制成谐振隧道双极晶体管(RBT)。 器件结构:在通常的双极晶体管的发射区、基区上设计谐振隧道势垒。在InP衬底上依次形成n~+InGaAs(300nm,收集区),n InGaAs(300nm),p~+ InGaAs(150nm,基区),在其上面制作谐振遂道势垒InAlAs/InGaAs/InAlAs(4.4nm/3.8nm/4.4nm),在势垒和基区层中间形成40nm的InGaAs层。在势垒的上部制作InGaAs(150nm),n~+ InGaAs(100nm),然后再制作发射区。载流子浓度:发射区层为Si:1×10~(18)cm~(-3),基区层为B:5×10~(18)cm~(-3),收集区层为Si:1×10~(17)cm~(-3)。