| （NH4）2S硫化处理后InGaAs表面特性的研究 |
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| 引用本文： | 韩冰 王妮丽 唐恒敬 龚海梅. （NH4）2S硫化处理后InGaAs表面特性的研究[J]. 激光与红外, 2007, 37(B09): 944-946 |
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| 作者姓名： | 韩冰 王妮丽 唐恒敬 龚海梅 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院研究生院,北京100039 |
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| 摘 要： | 通过（NH4）2S湿法硫化InGaAs表面，利用微波反射光电导衰减法测量了经（NH4）2S硫化后的少数载流子寿命。结果显示，经过硫化处理后的InGaAs表面复合速度接近于理想的InP／InGaAs双异质结材料的界面复合速度。为了更好地表征钝化效果，在硫化后的InGaAs表面淀积SiNx制备了MIS结构，通过高低频C—V测试得出两者的界面态密度为8．5×10^10cm^-2·eV^-1。
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| 关 键 词： | InGaAs 硫化 表面钝化 μ-PCD |
| 文章编号： | 1001-5078（2007）增刊-0944-03 |
| 修稿时间： | 2007-06-26 |
The Surface Properties of InGaAs Passivated with (NH4)2S |
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| HAN Bing, WANG Ni-li, TANG Heng-jing , GONG Hai-mei. The Surface Properties of InGaAs Passivated with (NH4)2S[J]. Laser & Infrared, 2007, 37(B09): 944-946 |
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| Authors: | HAN Bing WANG Ni-li TANG Heng-jing GONG Hai-mei |
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| Affiliation: | 1. State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China |
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| Abstract: | |
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