| Ka波段GaN HEMT栅结构仿真研究 |
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| 引用本文： | 王东方,刘新宇. Ka波段GaN HEMT栅结构仿真研究[J]. 电子器件, 2009, 32(5) |
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| 作者姓名： | 王东方 刘新宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所 |
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| 摘 要： | 为了研究适合Ka波段GaN HEMT的栅结构尺寸，借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas，在完善仿真模型的基础上研究了T型栅各部分对GaN HEMT特性的影响，包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响，以及栅金属厚度对最大震荡频率，栅场板对截止频率、最大震荡频率和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明，为了提高频率并减轻短沟道效应，栅长应取0.15~0.25um；减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应，但会明显降低器件的饱和漏电流，综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面，栅与沟道距离应取10~20nm；为了提高最大振荡频率，栅金属厚度应大于0.4um；缩小栅场板长度可有效提高器件的频率，兼顾Ka波段应用和提高击穿电压，栅场板长度应在0.3~0.4um左右。仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段GaN HEMT的研究具有参考意义。
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| 关 键 词： | 氮化镓、高电子迁移率晶体管、Ka 波段 、仿真 |
Simulation on Gate Structure of Ka Band GaN HEMT |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT Ka band Simulation |
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