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| 基于012μm GaAs PHEMT 工艺的压控振荡器IC 设计 | |
| 引用本文： | 孙 玲,朱 恩,孟凡生,吴春红,费瑞霞.基于012μm GaAs PHEMT 工艺的压控振荡器IC 设计[J].电子器件,2003,26(4). |
| 作者姓名： | 孙 玲 朱 恩 孟凡生 吴春红 费瑞霞 |
| 摘 要： | 摘要:给出了一个采用012μm GaAs PHEMT工艺设计的全集成差分负阻式LC 压控振荡器电路,芯片面积为0152 ×
017 mm2 。采用313 V 正电源供电,测得输出功率约- 11122 dBm ,频率调节范围61058 GHz～91347 GHz ;在自由振荡
频率712 GHz 处,测得的单边带相位噪声约为- 82 dBc/ Hz @100 kHz. |
| 关 键 词： | 关键词:压控振荡器 锁相环 GaAs PHEMT工艺 |
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