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绝缘衬底上异质外延生长硅

作者单位：	上海电科所

摘要：	兰宝石绝缘衬底上外延沉积单晶硅层,制作互补金属—氧化物—半导体(CMOS)集成电路,抗核辐照器件等,是研制大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路的理想材料。它的研制成功,解决了一般硅集成
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