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BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3复合磁电薄膜生长及应力研究
引用本文:周立勋,朱俊,黄文,张鹰,李言荣,罗文博.BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3复合磁电薄膜生长及应力研究[J].真空科学与技术学报,2007,27(5):386-390.
作者姓名:周立勋  朱俊  黄文  张鹰  李言荣  罗文博
作者单位:电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
摘    要:用激光分子束外延(LMBE)设备,在SrTiO3(001)基片上外延生长BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3多层复合磁电薄膜结构。通过反射式高能电子衍射(RHEED)对薄膜生长过程进行原位监测,结果显示,随着CoFe2O4厚度的增加薄膜内应力逐渐被释放,并且应力释放的过程导致了薄膜生长模式的变化。高分辨X射线衍射(XRD)发现,随着CoFe2O4厚度的增加,CoFe2O4对BaTiO3薄膜的张应力逐渐增大,BaTiO3晶胞的c轴晶格常数逐渐变小。理论计算给出了BaTiO3面外晶格常数c随CoFe2O4沉积时间的变化规律。原子力显微镜(AFM)对表面形貌进行表征,进一步证明了复合薄膜生长模式的变化。

关 键 词:磁电薄膜  界面应力  生长模式
文章编号:1672-7126(2007)05-386-05
修稿时间:2006-12-26

Growth and Interfacial Strain of BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3 Magnetoelectric Multilayers
Zhou Lixun,Zhu Jun,Huang Wen,Zhang Ying,Li Yanrong,Luo Wenbo.Growth and Interfacial Strain of BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3 Magnetoelectric Multilayers[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2007,27(5):386-390.
Authors:Zhou Lixun  Zhu Jun  Huang Wen  Zhang Ying  Li Yanrong  Luo Wenbo
Affiliation:University of Electronics Science and Technology of China, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu 610054, China
Abstract:
Keywords:RHEED
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