| 温度对硅纳米薄膜杨氏模量的影响 |
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| 引用本文： | 谭一云, 于虹, 黄庆安, 刘同庆,. 温度对硅纳米薄膜杨氏模量的影响[J]. 电子器件, 2007, 30(3): 755-758 |
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| 作者姓名： | 谭一云 于虹 黄庆安 刘同庆 |
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| 作者单位： | 东南大学,MEMS教育部重点实验室,南京,210096;东南大学,MEMS教育部重点实验室,南京,210096;东南大学,MEMS教育部重点实验室,南京,210096;东南大学,MEMS教育部重点实验室,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用分子动力学方法计算了100 K、300 K、400 K和500 K四个温度下硅纳米薄膜[110]与[11-0]两个方向上的杨氏模量.结果表明,[110]与[11-0]两个方向杨氏模量有较大差别,约为25 GPa;[110]与[11-0]的杨氏模量随温度变化的斜率几乎一样,为-0.007 Gpa/K.研究还表明,[110]与[11-0]两个方向具有几乎相等的热膨胀系数,量级在10-6/K.
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| 关 键 词： | 杨氏模量 硅{100}表面 (2×1)dimer重构 分子动力学 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）03-0755-04 |
| 修稿时间： | 2007-01-16 |
Effect of Temperature on the Young's Modulus of Silicon Nano-Films |
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| TAN Yi-yun,YU Hong,HUANG Qing-an,LIU Tong-qing. Effect of Temperature on the Young's Modulus of Silicon Nano-Films[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(3): 755-758 |
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| Authors: | TAN Yi-yun YU Hong HUANG Qing-an LIU Tong-qing |
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| Affiliation: | Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education, Southeast University, Nanjing 210096, China |
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