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| 低剂量SIMOX圆片研究 | |
| 引用本文： | 陈猛,陈静,郑望,李林,牟海川,林梓鑫,俞跃辉,王曦.低剂量SIMOX圆片研究[J].半导体学报,2001,22(8):1019-1024. |
| 作者姓名： | 陈猛 陈静 郑望 李林 牟海川 林梓鑫 俞跃辉 王曦 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，上海200050 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;59925205; |
| 摘 要： | 用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量 SIMOX圆片的结构特征 .结果显示 ,选择恰当的剂量能量窗口 ,低剂量 SIMOX圆片表层 Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅 /二氧化硅界面陡峭 .这些研究表明 ,低剂量 SIMOX圆片制备是很有前途的 SOI制备工艺 |
| 关 键 词： | 低剂量 硅岛密度 Si/SiO2界面 线缺陷密度 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）08-1019-06 |
| 修稿时间： | 2000年8月27日 |
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