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| 硅一MOS型三维磁场敏感器结构研究 | |
| 引用本文： | 赖宗声,刘亿,吴光励.硅一MOS型三维磁场敏感器结构研究[J].传感技术学报,1991,4(3). |
| 作者姓名： | 赖宗声 刘亿 吴光励 |
| 作者单位： | 华东师范大学电子科学系 |
| 摘 要： | 本文提出了一种硅一! & ? 型三维磁场敏感器结构, 它是将讨( ) 分量歌惑的一维
横向? ! & ? ?+ ? ! & ? % 与对( 二和( , 分量教感的两维的纵向? ! & ?? , ? ! & ?% 并合集成在
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件采用了特珠的相容性制造工艺, 可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计 |
| 关 键 词： | 磁场敏感器 磁敏晶体管 双扩散MOS器件 |
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