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四探针技术测量薄层电阻的原理及应用
引用本文:刘新福,孙以材,刘东升. 四探针技术测量薄层电阻的原理及应用[J]. 半导体技术, 2004, 29(7): 48-52
作者姓名:刘新福  孙以材  刘东升
作者单位:河北工业大学微电子技术研究所,天津,300130;河北工业大学微电子技术研究所,天津,300130;河北工业大学微电子技术研究所,天津,300130
基金项目:国家自然科学基金 , 河北省自然科学基金 , 天津市自然科学基金
摘    要:对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski法的测试原理,并应用斜置式Rymaszewski法研制成新型的四探针测试仪,利用该仪器对样品进行了微区(300μm×300μm)薄层电阻测量,做出了样品的电阻率等值线图,为提高晶锭的质量提供了重要参考.

关 键 词:四探针技术  薄层电阻  测试技术
文章编号:1003-353X(2004)07-0048-05
修稿时间:2003-08-08

The principle and application of testing sheet resistance with four-point probe techniques
LIU Xin-fu,SUN Yi-cai,LIU Dong-sheng. The principle and application of testing sheet resistance with four-point probe techniques[J]. Semiconductor Technology, 2004, 29(7): 48-52
Authors:LIU Xin-fu  SUN Yi-cai  LIU Dong-sheng
Abstract:
Keywords:four-point probes technique  sheet resistance  testing techniques
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