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硅单晶中碳化硅微夹杂物的观察与研究
引用本文:万群,李玉珍.硅单晶中碳化硅微夹杂物的观察与研究[J].稀有金属,1981(6).
作者姓名:万群  李玉珍
作者单位:冶金部有色金属研究总院 (万群),冶金部有色金属研究总院(李玉珍)
摘    要:本文用JCXA-50A型电子探针观察了区熔、直拉硅单晶中的碳化物微夹杂。结果发现:多数原生硅单晶中都不同程度的有碳化物存在,其尺寸最大可达20微米。碳化物的多少与晶体中碳含量和晶体部位有关。电子探针分析碳化物的存在形态分为两种,一种含碳,另一种是碳—氧共存。由超高压电镜电子衍射证明碳化物的结构为α-SiC和β-SiC。经热处理的样品中凡有碳处几乎都有氧,并观察到长约1000微米的碳-氧沉积带。

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