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分类号
杂志ISSN号
掩膜版清洗和光刻胶去除面临的挑战
作者姓名:
James S.
作者单位:
Papanu Applied
摘 要:
在65nm及以下节点,掩膜版的清洗变得更为关键,需要采用新的方法和技术。在传统的湿法工艺化学顺序中,首先用硫酸/双氧水混合液,然
关 键 词:
掩膜版
光刻胶
清洗
193nm光刻
工艺化学
工艺流程
混合液
双氧水
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