| 一种2 μm GaAs HBT低相噪宽带VCO |
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| 引用本文： | 蔡运城,曹军,赵君鹏,吴凯翔,高海军.一种2 μm GaAs HBT低相噪宽带VCO[J].微电子学,2020,50(1):90-94, 100. |
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| 作者姓名： | 蔡运城 曹军 赵君鹏 吴凯翔 高海军 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学 “射频电路与系统”教育部重点实验室, 杭州 310018 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点资助项目(61871161)；浙江省自然科学基金资助项目(LZ17F010001) |
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| 摘 要： | 提出了一种2 μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分 Colpitts 结构,并对无源器件进行结构优化,在4.1 GHz处,片上螺旋电感的品质因数超过21,实现了较低的相位噪声。通过二极管组成变容阵列,实现了较宽的调谐范围。流片测试结果表明,VCO 调谐范围为3.370~4.147 GHz,最大输出功率为－16.13 dBm,直流功耗为43 mW。在振荡频率为 4.1 GHz 时,相位噪声为－125.2 dBc/Hz@1 MHz。该VCO在相对较宽的调谐范围内实现了较低的相位噪声。
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| 关 键 词： | 压控振荡器 电容阵列 Colpitts结构 相位噪声 宽带 |
| 收稿时间： | 2019/3/8 0:00:00 |
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