| InN的光学性质 |
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| 引用本文： | 孙苋,王辉,王莉莉,刘文宝,江德生,杨辉.InN的光学性质[J].半导体学报,2007,28(Z1):88-90. |
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| 作者姓名： | 孙苋 王辉 王莉莉 刘文宝 江德生 杨辉 |
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| 作者单位： | 孙苋（中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083）;王辉（中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083）;王莉莉（中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083）;刘文宝（中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083）;江德生（中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083）;杨辉（中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003) |
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| 摘 要： | 对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在10K温度下进行PL测量,并对其线形进行分析,得到InN的带隙在0.7eV左右.综合Hall、吸收谱及PL谱的结果发现,吸收边以及PL谱的峰值能量都随载流子浓度的增加而蓝移.此外,我们还讨论了由吸收谱计算InN带隙的存在的不确定性.
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| 关 键 词： | InN MOCVD Hall效应 吸收谱 PL谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0088-03 |
| 修稿时间： | 2006年11月27 |
Optical Properties of InN |
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