|
|||||
|
|
| 1985年IEEE单片电路会议和国际微波会议概况 | |
| 作者姓名： | 陈经波 |
| 作者单位： | 南京固体器件研究所 |
| 摘 要： | <正>1985年6月3日到6日在美国圣路易斯召开了1985年度IEEE单片电路会议和国际微波讨论会.会议期间还有200多家公司参加了微波展览会的展出.单片会上发表了22篇论文,微波会159篇论文.提交报告的国家有17个,中国有4篇.会议厅横幅是“通向未来之路”,希望通过与会代表的技术交流,使微波技术更好地为开创人类幸福的未来服务.现就两个会议的情况分别报道如下.一、国际微波讨论会GaAs FET及其应用在会议报告中起着重要作用,有关固体器件及其应用的内容占会议的三分之一,这方面内容的听众也很多,可容纳4～5百人的会场后排还站着许多人,可见FET及其应用在与会者心目中的地位. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |