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~(60)Coγ射线低能散射对CMOS器件电离辐射效应的影响
引用本文:吴国荣,周辉,郭红霞,林东升,龚建成,关颖,韩福斌.~(60)Coγ射线低能散射对CMOS器件电离辐射效应的影响[J].微电子学,2001(3).
作者姓名:吴国荣  周辉  郭红霞  林东升  龚建成  关颖  韩福斌
作者单位:西北核技术研究所!陕西西安710024
摘    要:在60 Coγ射线辐射场中采用 Pb/ Al屏蔽和非屏蔽的方法 ,研究比较了低能散射对 CMOS器件电离辐射效应的影响。在理论计算基础上 ,设计了 Pb/ Al屏蔽盒。实验结果表明 ,低能散射占总电离辐射吸收剂量的 2 0 %左右 ,采用 Pb/ Al屏蔽盒可以消除低能散射的影响 ,能更可靠地进行微电子器件抗辐射加固水平的精确评估与对比 ;低能散射对 Kovar封装的器件产生剂量增强效应 ,剂量增强因子小于 2 .0

关 键 词:低能散射  电离辐射效应  辐射加固  CMOS器件  剂量增强效应

Influence of (60)~Co Source Lower Energy Diffusing on Ionizing Radiation Effects of CMOS Devices
WTBZWU Guo rong,ZHOU Hui,GUO Hong xia,LIN Dong sheng,GONG Jian cheng,GUAN Ying,HAN Fu bin WTBX.Influence of (60)~Co Source Lower Energy Diffusing on Ionizing Radiation Effects of CMOS Devices[J].Microelectronics,2001(3).
Authors:WTBZ]WU Guo rong  ZHOU Hui  GUO Hong xia  LIN Dong sheng  GONG Jian cheng  GUAN Ying  HAN Fu bin [WTBX]
Affiliation:WT5BZ]WU Guo rong,ZHOU Hui,GUO Hong xia,LIN Dong sheng,GONG Jian cheng,GUAN Ying,HAN Fu bin [WT6BX]
Abstract:
Keywords:Lower energy diffusing  Ionizing radiation effect  Radiation hardening  CMOS device  Dose enhancement effect
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