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TFT-LCD的新型VA八畴驱动技术
引用本文:王志军,朱修剑,李荣玉.TFT-LCD的新型VA八畴驱动技术[J].液晶与显示,2009,24(3).
作者姓名:王志军  朱修剑  李荣玉
作者单位:1. 上海交通大学,电子信息与电气工程学院,上海,200030;上海广电光电子有限公司,上海,200233
2. 上海广电光电子有限公司,上海,200233
3. 上海交通大学,电子信息与电气工程学院,上海,200030
摘    要:提出了一种应用于TFT-LCD的新型8畴驱动技术,可以简化现有的驱动电路,节省成本.通过在A、B像素的TFT栅极上施加具有不同削角电压的栅极信号,利用TFT像素的Feed through效应,可以在A、B像素上得到不同的显示电压,实现8畴显示.本技术只需要1组伽玛电压就可以实现8畴显示,而传统的TT-Type则需要2组.模拟结果表明:采用文章中提出的技术可以得到8畴的显示效果.由于栅极线GnA、GnB同时打开,相比两根栅极线分时打开的传统TT-Type结构,液晶电容有更多的充电时间.这样,不需要增加TFT的W/L就可以得到很好的充电效果.同时,由于不同灰阶电压下A、B像素的电压差取决于电容的耦合效应以及削角电压V1和V2的值,因此相对于CC-type而言,由于增加了V1和V2两个变量,所以调试更加灵活.

关 键 词:垂直配向  8畴  削角电压

Novel 8 Domain Driving Technology for TFT-LCD
WANG Zhi-jun,ZHU Xiu-jian,LI Rong-yu.Novel 8 Domain Driving Technology for TFT-LCD[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2009,24(3).
Authors:WANG Zhi-jun  ZHU Xiu-jian  LI Rong-yu
Abstract:
Keywords:feed through
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