| ZnO压敏陶瓷界面态起源与本质的研究 |
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| 引用本文： | 孟继轲,李莉. ZnO压敏陶瓷界面态起源与本质的研究[J]. 红外, 2008, 29(5): 37-40 |
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| 作者姓名： | 孟继轲 李莉 |
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| 作者单位： | 1. 太原科技大学,山西,太原,030024
2. 山西大学,山西,太原,030006 |
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| 摘 要： | 以双肖特基势垒模型为基础,分析了ZnO压敏陶瓷中界面态的起源及本质。分析结果认为,在晶界处,大离子半径的Bi和Ba偏析至界面,是造成界面态密度N_s的主要原因;氧以化学吸附氧的形式存在,对提高界面态密度也起关键作用。因此,ZnO压敏陶瓷中的界面态主要来源于非本征界面态。对界面态本质讨论的结果认为,应区分界面态密度N_s及有效界面态密度n_s,在做上述区分后,导电机理的解释及势垒高度Φ_b的计算将更趋于合理化。
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| 关 键 词： | ZnO压敏陶瓷 肖特基势垒 界面态 非线性性能 |
| 文章编号： | 1672-8785(2008)05-0037-04 |
| 修稿时间： | 2007-12-23 |
Research on Origin and Essence of ZnO Varistor Interface States |
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| MENG Ji-ke,LI Li. Research on Origin and Essence of ZnO Varistor Interface States[J]. Infrared, 2008, 29(5): 37-40 |
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| Authors: | MENG Ji-ke LI Li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO varistor Schottky barrier interface state nonlinear property |
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