| 基于SOI的集成硅微传感器芯片的制作 |
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| 引用本文： | 徐敬波,赵玉龙,蒋庄德,张大成,杨芳,孙剑.基于SOI的集成硅微传感器芯片的制作[J].半导体学报,2007,28(2):302-307. |
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| 作者姓名： | 徐敬波 赵玉龙 蒋庄德 张大成 杨芳 孙剑 |
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| 作者单位： | 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室，西安 710049;西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室，西安 710049;西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室，西安 710049;北京大学微电子学研究所，北京 100871;北京大学微电子学研究所，北京 100871;西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室，西安 710049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 为满足小体积、多参数测量的要求,采用SOI硅片,设计了一种测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应.根据集成传感器的结构,制定了相应的制备工艺步骤.针对芯片上各电阻间金属引线的可靠性问题和加速度传感器质量块吸附问题提出了有效的改进方法.最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果.
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| 关 键 词： | 集成传感器 SOI MEMS 集成传感器 硅微传感器 芯片 制作 Wafer Silicon Monolithic 性能测试结果 改进方法 吸附 质量块 加速度传感器 问题 金属引线 工艺步骤 结构 温度效应 电阻 温度传感器 压阻效应 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)02-0302-06 |
| 收稿时间： | 7/18/2006 2:09:39 PM |
| 修稿时间： | 07 18 2006 12:00AM |
Fabrication of Monolithic Silicon Multi-Sensor on SOI Wafer |
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| Xu Jingbo,Zhao Yulong,Jiang Zhuangde,Zhang Dacheng,Yang Fang and Sun Jian.Fabrication of Monolithic Silicon Multi-Sensor on SOI Wafer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2):302-307. |
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| Authors: | Xu Jingbo Zhao Yulong Jiang Zhuangde Zhang Dacheng Yang Fang and Sun Jian |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Mechanical Manufacturing Systems,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;State Key Laboratory of Mechanical Manufacturing Systems,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;State Key Laboratory of Mechanical Manufacturing Systems,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;Institute of Microelectronics,Peking University,Beijing 100871,China;State Key Laboratory of Mechanical Manufacturing Systems,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710049,China |
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| Abstract: | A monolithic silicon multi-sensor on SOI wafer that consists of a three-axis piezoresistive accelerometer,a piezoresistive absolute pressure sensor,and a silicon thermistor temperature sensor is presented.The fabrication process of the sensor is described.An effective micromachining process is developed to improve the reliability of the metal wire in the multi-sensor and to avoid adhesion between the PYREX glass and silicon mass in the process of anodic bonding.Finally,the measurement results of the sensor are shown. |
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| Keywords: | monolithic multi-sensor SOI MEMS |
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