| 基于圆周法的IGCT芯片门/阴极性能缺陷检测方法与实现 |
| |
| 引用本文： | 马宁强,乔旭,马帅. 基于圆周法的IGCT芯片门/阴极性能缺陷检测方法与实现[J]. 机电工程技术, 2021, 50(8): 146-148. DOI: 10.3969/j.issn.1009-9492.2021.08.041 |
| |
| 作者姓名： | 马宁强 乔旭 马帅 |
| |
| 作者单位： | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司,西安 710077 |
| |
| 摘 要： | 功率半导体器件IGCT芯片的门/阴极之间设计的呈多圈环状平面布局的等效二极管单元数量庞大,为准确快速检测每个单元的特性并筛查出缺陷单元的位置,设计了基于圆周运动动态检测的IGCT芯片门/阴极阻断特性测试台.该测试系统中用于芯片阴极的探针采用软探针滑动接触,用于门极的探针采用滚轮探针滚动接触,解决了快速运动中直流测试信号...
|
| 关 键 词： | 功率半导体 IGCT 门/阴极 阻断特性 |
Detection Method and Implementation of IGCT Chip Gate/Cathode Performance Defect Based on Circumferential Method |
| |
| Ma Ningqiang,Qiao Xu,Ma Shuai. Detection Method and Implementation of IGCT Chip Gate/Cathode Performance Defect Based on Circumferential Method[J]. Mechanical & Electrical Engineering Technology, 2021, 50(8): 146-148. DOI: 10.3969/j.issn.1009-9492.2021.08.041 |
| |
| Authors: | Ma Ningqiang Qiao Xu Ma Shuai |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
