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An Ultra-Low-Power Embedded EEPROM for Passive RFID Tags
作者姓名:Yan N  Tan Xi  Zhao Dixian  Min Hao
作者单位:复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,Auto-ID实验室,上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,Auto-ID实验室,上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,Auto-ID实验室,上海 201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,Auto-ID实验室,上海 201203
基金项目:国家高技术研究发展计划
摘    要:采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA.

关 键 词:射频识别  EEPROM  存储器  电荷泵  敏感放大器  低功耗  radio  frequency  identification  EEPROM  memory  charge  pump  sense  amplifier  low  power  射频  电子标签  超低功耗  嵌入式  EEPROM  Tags  RFID  Passive  operations  average  power  supply  voltage  access  time  measurement  design  silicon  programming  improved  Block  read
文章编号:0253-4177(2006)06-0994-05
收稿时间:1/5/2006 2:53:13 PM
修稿时间:03 22 2006 12:00AM

An Ultra-Low-Power Embedded EEPROM for Passive RFID Tags
Yan N,Tan Xi,Zhao Dixian,Min Hao.An Ultra-Low-Power Embedded EEPROM for Passive RFID Tags[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6):994-998.
Authors:Yan N  Tan Xi  Zhao Dixian and Min Hao
Affiliation:State Key Laboratory of ASIC & Systems,Auto-ID Laboratory,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & Systems,Auto-ID Laboratory,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & Systems,Auto-ID Laboratory,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & Systems,Auto-ID Laboratory,Fudan University,Shanghai 201203,China
Abstract:
Keywords:radio frequency identification  EEPROM  memory  charge pump  sense amplifier  low power
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