| 生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 赵丹,朱俊,李言荣.生长温度对激光分子束外延A1N薄膜的影响[J].硅酸盐学报,2011,39(11). |
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| 作者姓名： | 赵丹 朱俊 李言荣 |
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| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团第三十八研究所,合肥,230088
2. 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 |
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| 摘 要： | 采用激光分子束外延法在Al2O3基片上制备AlN薄膜。用反射高能电子衍射、X射线衍射和原子力显微镜研究沉积温度对薄膜微结构的影响,通过光致发光谱和透射光谱对六方AlN薄膜的光学性能进行研究。结果表明：沉积温度为450℃时,沉积的AlN薄膜为非晶态;沉积温度为650℃时,在Al2O3基片上得到c轴单一取向的的六方AlN薄膜,且AlN和Al2O3之间的外延匹配关系为AlN1210]//Al2O31100],AlN1100]//Al2O31210]和AlN（0001）//Al2O3（0001）,这种面内相对旋转30°,可以减小AlN薄膜与Al2O3基片之间的晶格失配度和界面能。此外,650℃沉积的AlN的透射率达到85%,禁带宽度为5.6 eV。沉积温度升高到750℃时,AlN薄膜的透射率和光学能隙变小
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| 关 键 词： | 氮化铝薄膜 外延生长 氧化铝基片 激光分子束外延法 |
Effect of Growth Temperature on AIN Films Deposited by Laser Molecular Beam Epitaxy |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aluminum nitride films epitaxial growing alumina substrate laser molecular beam epitaxy |
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