| 铬掺杂PMS-PZT压电材料的研究 |
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| 引用本文： | 孙清池,陆翠敏,徐明霞,朱宏亮.铬掺杂PMS-PZT压电材料的研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(Z2):934-936. |
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| 作者姓名： | 孙清池 陆翠敏 徐明霞 朱宏亮 |
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| 作者单位： | 天津大学,天津,300072 |
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| 基金项目： | 国家自然基金委重点基金项目(10232030);天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室资助(x06050) |
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| 摘 要： | 采用固相法制备铬掺杂PMSZT压电陶瓷,研究了在不同烧结温度下铬掺杂Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0 05ZrxTi0.95-xO3+z%(质量分数)Cr2O3陶瓷的介电和压电性能,分析讨论了Cr2O3掺杂量以及烧结温度与相组成,显微结构和电性能的关系.结果表明,Cr2O3掺杂0.6%(质量分数),烧结温度1260℃时,PMSZT压电陶瓷的居里温度最低且电性能优良,ε33T/ε0=1650,tan δ=0.006,d33=328pC/N,Kp=0.63,Qm=2300.
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| 关 键 词： | PMSZT压电陶瓷 相组成 显微结构 电性能 |
| 文章编号： | 1002-185X(2005)S1-0934-03 |
| 修稿时间： | 2004年12月28 |
Research on PMSZT Ceramics Doped with Cr2O3 |
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| Sun Qingchi,Lu Cuimin,Xu Mingxia,Zhu Hongliang.Research on PMSZT Ceramics Doped with Cr2O3[J].Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(Z2):934-936. |
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| Authors: | Sun Qingchi Lu Cuimin Xu Mingxia Zhu Hongliang |
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