| GaAs MESFET微波固态振荡器的设计与实现 |
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| 引用本文： | 陈维富,林基明.GaAs MESFET微波固态振荡器的设计与实现[J].半导体技术,2007,32(4):304-307. |
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| 作者姓名： | 陈维富 林基明 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学,通信与信息工程系,广西,桂林,541004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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教育部跨世纪优秀人才培养计划
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广西新世纪十百千人才工程基金 |
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| 摘 要： | 通过理论计算与CAD的优化仿真实现了一种基于GaAs MESFET微波固态振荡器.电路结构简单、工程实用性强,且易于集成化.由实际测试表明,振荡器的中心频率为4.54 GHz,输出功率为14.95dBm,在200kHz下的相位噪声为-124.26 dBc/Hz.
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| 关 键 词： | 砷化镓金属半导体场效应晶体管 振荡器 相位噪声 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）04-304-04 |
| 收稿时间： | 2006-11-03 |
| 修稿时间： | 2006年11月3日 |
Design and Implementation of GaAs MESFET Microwave Solid Oscillator |
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| CHEN Wei-fu,LIN Ji-ming.Design and Implementation of GaAs MESFET Microwave Solid Oscillator[J].Semiconductor Technology,2007,32(4):304-307. |
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| Authors: | CHEN Wei-fu LIN Ji-ming |
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| Abstract: | The microwave solid oscillator based on C, aAs MESFET was implemented by theory calculation and optimization of CAD. The actual test results show that the oscillator can achieve phase-noise performance of - 124.26 dBc/Hz at 200 kHz offset, and output power can achieve 14.95 dBm, the centre frequency of output signal is 4.54 GHz. The circuit is very compact and appropriate for IC design, and also convenience in engineering applications. |
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| Keywords: | GaAs MESFET oscillator phase noise |
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