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一种硅微波功率三极管的失效分析
引用本文:李兴鸿,赵俊萍,赵春荣,赖世波.一种硅微波功率三极管的失效分析[J].电子产品可靠性与环境试验,2013,31(1):39-43.
作者姓名:李兴鸿  赵俊萍  赵春荣  赖世波
作者单位:北京微电子技术研究所,北京,100076
摘    要:描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件失效发生时的状态。指出器件的失效是热电正反馈熔融烧毁所致,是使用问题而不是器件的本质失效;其分析过程对其它器件的失效分析有指导作用。

关 键 词:硅微波功率三极管  耗散功率  熔融蒸发

Failure Analysis on a Silicon Microwave Power Transistor
LI Xing-hong , ZHAO Jun-ping , ZHAO Chun-rong , LAI Shi-bo.Failure Analysis on a Silicon Microwave Power Transistor[J].Electronic Product Reliability and Environmental Testing,2013,31(1):39-43.
Authors:LI Xing-hong  ZHAO Jun-ping  ZHAO Chun-rong  LAI Shi-bo
Affiliation:(Beijing Micro-electronic Technology Research Institute,Beijing 100076,China)
Abstract:
Keywords:
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