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| 缺陷对LSI和VLSI的危害及其控制的方法 | |
| 引用本文： | 张通和.缺陷对LSI和VLSI的危害及其控制的方法[J].微处理机,1985(1). |
| 作者姓名： | 张通和 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所 |
| 摘 要： | 本文着重的讨论了缺陷(包括材料内在的和加工过程中引入的缺陷)对集成电路的危害。这些缺陷包括材料中的位错、沉积物和旋涡等。在光刻、氧化、扩散、离子注入、电子束蒸发和等离子刻蚀的过程中都会引入缺陷。这些缺陷主要是以各种形式的位错出现。这些缺陷使集成电路LSI和超大规模集成电路(VLSI)管芯漏电变大、管芯内电阻率变化加大、MOS电路阈值漂移以致 |
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