| 单片电路晶体管模型参数提取专用 TRL 校准件磁 |
| |
| 引用本文： | 刘晨,孙静,吴爱华,栾鹏,郑延秋,梁法国. 单片电路晶体管模型参数提取专用 TRL 校准件磁[J]. 计算机与数字工程, 2015, 0(1) |
| |
| 作者姓名： | 刘晨 孙静 吴爱华 栾鹏 郑延秋 梁法国 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄 050051 |
| |
| 摘 要： | 为了满足 GaAs 微波单片晶体管模型参数精确提取需求，论文开展了在 GaAs 衬底上制作专用 TRL 校准件的研究工作，该专用校准件在设计过程中，综合考虑了介质材料、测量端口探针至微带线过渡等要素，使校准后在片 S 参数测量的参考平面更加接近晶体管管芯，从而获得了微波单片晶体管真正管芯模型参数。为了对校准效果进行验证，制作了在片无源检验件，通过测量结果与电磁场仿真数值的对比，证实了该专用校准件满足模型参数提取的测量要求。
|
| 关 键 词： | 在片 TRL 校准 在片 S 参数 晶体管表征 |
Special TRL Standards for Monolithic Transistors Modeling |
| |
| LIU Chen,SUN Jing,WU Aihua,LUAN Peng,ZHENG Yanqiu,LIANG Faguo. Special TRL Standards for Monolithic Transistors Modeling[J]. Computer and Digital Engineering, 2015, 0(1) |
| |
| Authors: | LIU Chen SUN Jing WU Aihua LUAN Peng ZHENG Yanqiu LIANG Faguo |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | on-wafer TRL calibration on-wafer S-parameters transistor characterization |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
