| 利用DPVBi的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件 |
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| 引用本文： | 姜文龙,丁桂英,王静,汪津,王立忠,韩强,刘式墉.利用DPVBi的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件[J].半导体光电,2006,27(6):701-703,706. |
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| 作者姓名： | 姜文龙 丁桂英 王静 汪津 王立忠 韩强 刘式墉 |
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| 作者单位： | 吉林师范大学,信息技术学院,吉林,四平,136000;吉林大学,集成光电子学国家重点联合实验室,吉林,长春,130023;吉林师范大学,信息技术学院,吉林,四平,136000;吉林大学,集成光电子学国家重点联合实验室,吉林,长春,130023 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金
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吉林省科技发展计划
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吉林省科技发展计划 |
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| 摘 要： | 介绍了结构为:ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(5 nm)/DPVBi(10～12 nm)/Rubrene(0.5 nm)/DPVBi(20～18 nm)/Alq(50 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的白光器件.该器件采用了两个DPVBi层中间夹一个Rubrene的薄层,这种结构充分利用了DPVBi的空穴阻挡特性和发光特性,有力地平衡了来自于DPVBi的蓝光、Alq的绿光和Rubrene的黄光,从而使器件发射性能较好的白光.当第一层的DPVBi和第二层的DPVBi的厚度分别是11 nm和19 nm时,其他层的厚度保持不变,该器件在15 V电压下,最大亮度为11 290 cd/m2 ,对应的效率为1.71 cd/A,色坐标为(0.25,0.27),属于白光发射;在6 V时,其最大效率为3.18 cd/A.
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| 关 键 词： | 有机白光器件 空穴阻挡特性 DPVBi |
| 文章编号： | 1001-5868（2006）06-0701-03 |
| 收稿时间： | 2006-04-20 |
| 修稿时间： | 2006-04-20 |
White Light Devices Fabricated by Using DPVBi Hole Block and Luminous Characters |
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| JIANG Wen-long,DING Gui-ying,WANG Jing,WANG Jin,WANG Li-zhong,HAN Qiang,LIU Shi-yong.White Light Devices Fabricated by Using DPVBi Hole Block and Luminous Characters[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(6):701-703,706. |
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| Authors: | JIANG Wen-long DING Gui-ying WANG Jing WANG Jin WANG Li-zhong HAN Qiang LIU Shi-yong |
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| Affiliation: | 1. Department of Electronic Information and Engineering, Jilin Normal University, Siping 136000, CHN; 2. State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Jilin University, Changchun 130023, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | organic white devices hole block characters DPVBi |
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