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| 新一代CMP设备及其对IC器件的影响 | |
| 引用本文： | Raymond R.Jin,万力.新一代CMP设备及其对IC器件的影响[J].电子工业专用设备,2003,32(2):50-52. |
| 作者姓名： | Raymond R.Jin 万力 |
| 作者单位： | Applied Materials公司，Applied Materials公司 |
| 摘 要： | 概述了为IC生产中绝缘体上硅(SOI)、硅?多晶硅、浅沟槽隔离(STI)、氧化物(PMD和ILD)、钨(W)、铜(Cu)和铝(Al)等不同化学机械抛光(CMP)用途开发的CMP设备的进展,讨论了新一代CMP设备(MIRRARCMP)对IC器件生产的影响及其特性。 |
| 关 键 词： | 化学机械抛光 集成电路 CMP设备 IC |
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